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致真设备推出了多款超高真空生长源（磁控溅射阴极&PLD靶台）：可以实现磁性材料和非磁性材料的高精度生长，靶面进气，可以调节溅射角度与距离；

公司致力于打造国产的高端磁控溅射设备，提升高端薄膜沉积设备的自主可控水平，努力解决集成电路领域科研和制造中设备和工艺短缺的难题。

致真设备推出了多款快速进样室系统：可以实现2inch，4inch和8inch晶圆的存储，抓取与传输；可以选配2inch和4inch进样室自动传输；

公司致力于打造国产的高端磁控溅射设备，提升高端薄膜沉积设备的自主可控水平，努力解决集成电路领域科研和制造中设备和工艺短缺的难题。

致真设备可根据客户需求，开发如自旋、超导量子、MEMS等领域的薄膜工艺菜单：

公司致力于打造国产的高端磁控溅射设备，提升高端薄膜沉积设备的自主可控水平，努力解决集成电路领域科研和制造中设备和工艺短缺的难题。

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致真设备推出了多款超高真空生长源（磁控溅射阴极&PLD靶台）：可以实现磁性材料和非磁性材料的高精度生长，靶面进气，可以调节溅射角度与距离；

公司致力于打造国产的高端磁控溅射设备，提升高端薄膜沉积设备的自主可控水平，努力解决集成电路领域科研和制造中设备和工艺短缺的难题。

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