科研型原子层沉积设备ALD-200

ALD-200 是针对高校实验室及研究院所开发的高性能、多功能、可定制化的单原子层化学气相沉积设备,可实现高K栅氧化层、介质材料以及多元组分化合物的精确沉积,工艺类型可选热型或等离子体增强型。先进的样平台、等离子体线圈以及流场设计实现沉积薄膜的高均匀性。优化的气路结构设计实现多元组分化合物的精确调控。适用于先进材料和先进器件研究。

关键词：

高精度磁控溅射设备、薄膜加工制造、工艺调试、设备软件开发

所属分类：

科研级薄膜制备设备

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科研型原子层沉积设备ALD-200

详情介绍

性能参数

晶圆尺寸	4 英寸，向下兼容
极限真空	优于5×10⁻⁷mbar
沉积不均匀性	≤1%
基片加热温度	室温~500℃,控温精度: ±1℃
前驱体源	6路，可选不同蒸气压源瓶(蒸汽式、起泡器)
等离子体气路	3路(氩气、氧气、氮气)，可选不同类型
工艺类型	热型或等离子体增强型(最大功率600W)
可选	膜厚检测(QCM)、工艺菜单、手套箱、偏压等
适用工艺	Al₂O₃、HfO₂、ZnO、ZrO₂、SiO₂、GZO、HZO、AlN、TiN、TaN、 Ru、 Mo、W、 Co, etc.
应用	高K栅工艺、化合物工艺、钙钛矿太阳能电池等H

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